1分钟前 拉丝面曝光显影厂货真价实 利成感光五金厂[利成感光38dbdb8]内容：曝光不足，导致单体聚合不，那么在显影过程中，会使的胶膜变软，线条不清晰，色泽暗淡，脱胶。曝光过度，会造成难显影，留有残胶。同时曝光影响图案的线宽，过量曝光会使图形线条变细，蚀刻产品线条变粗。
曝光显影工艺主要应用于微电子加工中，是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。
曝光显影工艺可以分为以下步骤：准备硅片：在硅片上涂覆光刻胶，将硅片和光刻胶一起加热，使其在表面形成均匀的光刻胶层。
曝光：使用紫外线曝光机将掩膜上的图案投射到光刻胶上。显影：使用显影液将未曝光的光刻胶清除掉，将芯片图案暴露出来将显影液涂覆在曝光后的晶圆表面上，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域溶于显影液中，进一步将反应聚合物和显影液残留冲洗后，就可以显现出光刻胶中的图形，曝光一般在曝光机内进行，目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷，
显影液表面停留（puddle）：为了让显影液与光刻胶进行充分反应，显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。从而形成可见的图片。而在数字摄影中，曝光则是相机中的数字传感器接收到光线所对应的信息，并记录下来，再通过数字信号处理，将其转化为图片的过程。甩干（spin dry）：为了将表面的去离子水甩干，将硅片转到高转速
曝光显影可以制造微小的电容、电阻、晶体管、发光二极管或太阳能电池等晶体管器件，快速将电信号转变为其他形式的能量。曝光显影技术可以制造出高精度微纳米级别下的芯片制造工艺，大大提高了芯片质量及其可靠性。预喷淋（p-wet）：为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能，先在硅片表面喷上一点去离子水（Deionizedwater，DIW）。
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